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独フラウンホーファー研究機構IAF、EV充電用GaNパワーICの開発を推進
・フラウンホーファー応用固体物理研究所(IAF)は6月10日、パワーエレクトロニクス用途向けに窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体を用いた革新的なトランジスタとパワー集積回路(GaNパワーIC)の開発を進めていると発表した。
・IAFでは、現在電気自動車(EV)の双方向充電など様々なCO2削減対策に利用できる最大耐圧1,200V以上のGaNベースHEMT (高電子移動度トランジスタ)技術の実現に取り組んでいる。
・同研究所は今後....
・IAFでは、現在電気自動車(EV)の双方向充電など様々なCO2削減対策に利用できる最大耐圧1,200V以上のGaNベースHEMT (高電子移動度トランジスタ)技術の実現に取り組んでいる。
・同研究所は今後....
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